IXGM25N100A
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IXYS Semiconductor
电子元器件分类
IXGM25N100A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200000 mW
击穿电压集电极-发射极 1000 V
反向恢复时间 200 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXGM25N100A引脚图与封装图
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在线购买IXGM25N100A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGM25N100A | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin2+Tab TO-204AE | 搜索库存 |
替代型号IXGM25N100A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGM25N100A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin2+Tab TO-204AE | 当前型号 |
| 型号： IXGM17N100A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 类似代替 | 4V diode | IXGM25N100A和IXGM17N100A的区别 |
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| 型号： IXGM20N60 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | Low VCEsat IGBT High speed IGBT | IXGM25N100A和IXGM20N60的区别 |