IXGM17N100A、IXGM25N100A、IXGM20N60A对比区别

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型号 IXGM17N100A IXGM25N100A IXGM20N60A

描述 4V diodeTrans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin(2+Tab) TO-204AETrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-204AE

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-204 TO-204 TO-3

耗散功率 - 200000 mW 150000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1000 V 1000 V -

反向恢复时间 200 ns 200 ns -

额定功率(Max) 150 W 200 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200000 mW 150000 mW

封装 TO-204 TO-204 TO-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 End of Life End of Life Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99