IXFT15N100Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT15N100Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 700 mΩ
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT15N100Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFT15N100Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT15N100Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 15A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT15N100Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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