IXTK210P10T
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IXYS Semiconductor
电子元器件分类
IXTK210P10T中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1040 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 210A
上升时间 98 ns
输入电容Ciss 69500pF @25VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IXTK210P10T引脚图与封装图
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在线购买IXTK210P10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK210P10T | IXYS Semiconductor | TO-264AA P-CH 100V 210A | 搜索库存 |
替代型号IXTK210P10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTK210P10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 当前型号 | TO-264AA P-CH 100V 210A | 当前型号 |
| 型号： IXTX210P10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Mosfet p-Ch 100V 210A Plus247 | IXTK210P10T和IXTX210P10T的区别 |