IXTK210P10T、IXTX210P10T对比区别

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型号 IXTK210P10T IXTX210P10T

描述 TO-264AA P-CH 100V 210AMosfet p-Ch 100V 210A Plus247

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3

耗散功率 1040 W 1040W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

上升时间 98 ns 98 ns

输入电容(Ciss) 69500pF @25V(Vds) 69500pF @25V(Vds)

下降时间 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1040000 mW 1040W (Tc)

极性 P-CH -

连续漏极电流(Ids) 210A -

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free