IXTH24N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXTH24N50Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360 W
上升时间 20 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH24N50Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTH24N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH24N50Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXTH24N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH24N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXTH24N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 24A | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH24N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V | IXTH24N50Q和IXTH24N50的区别 |
| 型号： IXTH24N50L 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | N沟道 500V 24A | IXTH24N50Q和IXTH24N50L的区别 |