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ISO5451DW

ISO5451DW

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  ISO5451DW  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16

2.7A,5.5A 栅极驱动器 容性耦合 5700Vrms 通道 16-SOIC


得捷:
DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC


欧时:
Isolated IGBT Gate Driver w/CMTI SOIC16


立创商城:
ISO5451DW


德州仪器TI:
5.7kVrms, 2.5A/5A single-channel isolated gate driver with active protection features


e络盟:
MOSFET驱动器, 3V-5.5V电源, 5A输出, WSOIC-16


艾睿:
Driver 5A 1-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 2.5A 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 5A 1-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  ISO5451DW  MOSFET/IGBT DRIVER, INV/NON-INV, WSOIC16


ISO5451DW中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00V min

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 1

通道数 1

针脚数 16

耗散功率 1255 mW

隔离电压 5700 Vrms

下降时间Max 20 ns

上升时间Max 20 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1255 mW

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

ISO5451DW引脚图与封装图
ISO5451DW引脚图

ISO5451DW引脚图

ISO5451DW封装图

ISO5451DW封装图

ISO5451DW封装焊盘图

ISO5451DW封装焊盘图

在线购买ISO5451DW
型号 制造商 描述 购买
ISO5451DW TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  ISO5451DW  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16 搜索库存
替代型号ISO5451DW
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISO5451DW

品牌: TI 德州仪器

封装: WSOIC 3V 16Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  ISO5451DW  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16

当前型号

型号: ISO5451DWR

品牌: 德州仪器

封装: 16-SOIC 3V 16Pin

完全替代

具有保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

ISO5451DW和ISO5451DWR的区别