IXFV110N10P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV110N10P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 3550pF @25VVds
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV110N10P引脚图与封装图
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在线购买IXFV110N10P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV110N10P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 搜索库存 |
替代型号IXFV110N10P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV110N10P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 当前型号 |
| 型号： IXTQ110N10P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 100V 110A | 类似代替 | N沟道 100V 110A | IXFV110N10P和IXTQ110N10P的区别 |
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