IKW75N65ES5
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IKW75N65ES5中文资料参数规格
技术参数
额定功率 395 W
耗散功率 395000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 85 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 395000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Storage, Charger
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
IKW75N65ES5引脚图与封装图
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在线购买IKW75N65ES5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IKW75N65ES5 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube | 搜索库存 |