制造商型号： | IKW75N65ES5 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | IGBT 電晶體 Trenchstop 5 IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Infineon Technologies(英飞凌) IKW75N65ES5
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IKW75N65ES5 中文资料
数据手册PDF
IKW75N65ES5 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
商标名 TRENCHSTOP
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.42 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 395 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
外形参数
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001319684 IKW75N65ES5XKSA1
单位重量 6.100 g
品牌其他型号
IKW75N65ES5品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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