IPW60R190C6FKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6FKSA1, 20.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6FKSA1, 20.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

立创商城:
N沟道 600V 20.2A

贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 / N-Channel 600 V 20.2A Tc 151W Tc Through Hole PG-TO247-3-1

IPW60R190C6FKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 151 W

极性 N-Channel

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPW60R190C6FKSA1引脚图与封装图

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