IRFH5255TR2PBF
数据手册.pdf
International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRFH5255TR2PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3.6 W
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 26 W
产品系列 IRFH5255
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 51.0 A
输入电容Ciss 988pF @13VVds
额定功率Max 3.6 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VQFN-8
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 0.9 mm
封装 VQFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
IRFH5255TR2PBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFH5255TR2PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFH5255TR2PBF | International Rectifier 国际整流器 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |