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IPB200N25N3 G

IPB200N25N3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB200N25N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 250V 64A


得捷:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3


欧时:
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


e络盟:
# INFINEON  IPB200N25N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin2+Tab TO-263


儒卓力:
**N-CH 250V 64A 20mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3


IPB200N25N3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0175 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 5340pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters, Class D audio amplifiers

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB200N25N3 G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB200N25N3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB200N25N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存