制造商型号： | IPB200N25N3 G |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Infineon Technologies(英飞凌) IPB200N25N3 G
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IPB200N25N3 G 中文资料
数据手册PDF
IPB200N25N3 G 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 61 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 OptiMOS 3 Power-Transistor
零件号别名 SP000677896 IPB2N25N3GXT IPB200N25N3GATMA1
单位重量 4 g
库存： 13
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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IPB200N25N3 G品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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