IPD65R380C6
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD65R380C6中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 12 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPD65R380C6引脚图与封装图
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在线购买IPD65R380C6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD65R380C6 | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPD65R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IPD65R380C6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD65R380C6 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 700V 10.6A | 当前型号 | INFINEON IPD65R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： IPD65R380E6 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-CH 700V 10.6A | 类似代替 | 650V的CoolMOS E6功率晶体管 650V CoolMOS E6 Power Transistor | IPD65R380C6和IPD65R380E6的区别 |
| 型号： STD12N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V | IPD65R380C6和STD12N65M5的区别 |