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IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

25V/3.5A,-25V/-2.3A,N/P沟道功率MOSFET

**Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon**

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
IRF7105TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 3.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R


力源芯城:
25V/3.5A,-25V/-2.3A,N/P沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC


IRF7105TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.50 A

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7105

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

热阻 62.5 K/W

输入电容Ciss 330pF @15VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF7105TRPBF引脚图与封装图
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