额定电压DC 60.0 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 30 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7478
输入电容 1740pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 2.60 ns
输入电容Ciss 1740pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7478TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,60V,3.5A,30mΩ@4.5V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7478TRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 60V 7A | 当前型号 | N沟道,60V,3.5A,30mΩ@4.5V | 当前型号 | |
型号: STS7NF60L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 60V 7.5A 17mohms 1.7nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS7NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V | IRF7478TRPBF和STS7NF60L的区别 | |
型号: FDS4480 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 40V 10.8A 12mohms 1.69nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4480 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 40 V, 0.008 ohm, 10 V, 3.9 V | IRF7478TRPBF和FDS4480的区别 | |
型号: FDS5690 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 60V 7A 28mohms 1.11nF | 功能相似 | FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8 | IRF7478TRPBF和FDS5690的区别 |