IXSN50N60BD2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXSN50N60BD2中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 3.85nF @25V
额定功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSN50N60BD2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXSN50N60BD2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSN50N60BD2 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXSN50N60BD2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXSN50N60BD2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4Pin SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： IXXN100N60B3H1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 500000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 440A 500000mW 4Pin SOT-227B | IXSN50N60BD2和IXXN100N60B3H1的区别 |