IXSN50N60BD2、IXXN100N60B3H1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXSN50N60BD2 IXXN100N60B3H1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4Pin SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 440A 500000mW 4Pin SOT-227B

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Chassis

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

引脚数 - 4

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

输入电容(Cies) 3.85nF @25V 4.86nF @25V

额定功率(Max) 250 W 500 W

耗散功率 - 500000 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 500000 mW

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99