额定功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 60 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRG4BC20UD-S | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin 2+Tab D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRG4BC20UD-S 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin 2+Tab D2PAK | 当前型号 | |
型号: IRG4BC20UD-SPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-263-3 60000mW | 完全替代 | Co-Pack IGBT 高达 20A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。 | IRG4BC20UD-S和IRG4BC20UD-SPBF的区别 |