IRG4BC20FD-STRL
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 60 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRG4BC20FD-STRL | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |