IXGR32N60CD1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR32N60CD1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 140 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGR32N60CD1引脚图与封装图
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在线购买IXGR32N60CD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGR32N60CD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXGR32N60CD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGR32N60CD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | 当前型号 |
| 型号： IXDR30N120D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD 200000mW | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 | IXGR32N60CD1和IXDR30N120D1的区别 |