IXSX80N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXSX80N60B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 500 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSX80N60B引脚图与封装图
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在线购买IXSX80N60B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSX80N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 180A 3Pin3+Tab PLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXSX80N60B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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