IXSX80N60B、IXXH100N60B3、IXGX120N60B对比区别

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型号 IXSX80N60B IXXH100N60B3 IXGX120N60B

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 180A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADIGBT 600V 200A 660W TO247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 - 830 W -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 500 W 830 W 660 W

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 830000 mW -

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 200 A

上升时间 - - 45.0 ns

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

宽度 - - 5.21 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -