IXSH30N60BD1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXSH30N60BD1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 200 W
耗散功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSH30N60BD1引脚图与封装图
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在线购买IXSH30N60BD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSH30N60BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXSH30N60BD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXSH30N60BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXXH30N60B3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 270000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD | IXSH30N60BD1和IXXH30N60B3D1的区别 |