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IXSH30N60BD1、IXXH30N60B3D1、IRG4PC50UD-EPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXSH30N60BD1 IXXH30N60B3D1 IRG4PC50UD-EPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247ADINFINEON  IRG4PC50UD-EPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 270000 mW 200 W

上升时间 - - 25.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 25 ns 50 ns

额定功率(Max) 200 W 270 W 200 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 W 270000 mW 200 W

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 5.31 mm

高度 - - 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99