IXGH30N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH30N60B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH30N60B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGH30N60B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH30N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXGH30N60B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH30N60B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXGH36N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 250000mW | 类似代替 | IXGH36N60B 600 V 36 A GenX3 IGBT 晶体管 - TO-247 | IXGH30N60B和IXGH36N60B3的区别 |