IXGH30N60B、IXGH36N60B3、STGW30NC60WD对比区别

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型号 IXGH30N60B IXGH36N60B3 STGW30NC60WD

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247ADIXGH36N60B 600 V 36 A GenX3 IGBT 晶体管 - TO-247STMICROELECTRONICS  STGW30NC60WD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 200 W 250 W 200 W

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 60.0 A

额定功率 - - 200 W

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 250000 mW 200 W

输入电容 - - 2080 pF

上升时间 - - 12.0 ns

热阻 - - 50 ℃/W

反向恢复时间 - - 40 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250000 mW 200 W

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.75 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 20.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99