IXSK80N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXSK80N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 180A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXSK80N60B 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-264-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 180A 3Pin3+Tab TO-264AA | 当前型号 | |
型号: IXXK200N60B3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-264-3 | 类似代替 | Igbt 600V 380A 1630W To264 | IXSK80N60B和IXXK200N60B3的区别 |