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IXSK80N60B、IXXK200N60B3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXSK80N60B IXXK200N60B3

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 180A 3Pin(3+Tab) TO-264AAIgbt 600V 380A 1630W To264

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-264-3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 500 W 1630 W

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

封装 TO-264-3 TO-264-3

长度 19.96 mm -

宽度 5.13 mm -

高度 26.16 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free