IXST40N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXST40N60B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 280 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXST40N60B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXST40N60B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXST40N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXST40N60B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXST40N60B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXXH50N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin | IXST40N60B和IXXH50N60B3的区别 |