IXST40N60B、IXXH50N60B3对比区别

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型号 IXST40N60B IXXH50N60B3

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(2+Tab) TO-268Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole

封装 TO-268-3 TO-247-3

引脚数 - 3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 280 W 600 W

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 600000 mW

封装 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free