耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXGH15N120BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXGH15N120BD1 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 150000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 | |
型号: IGW60T120 品牌: 英飞凌 封装: TO-247-3 | 功能相似 | INFINEON IGW60T120 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | IXGH15N120BD1和IGW60T120的区别 | |
型号: IGW40T120 品牌: 英飞凌 封装: TO-247-3 | 功能相似 | INFINEON IGW40T120 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | IXGH15N120BD1和IGW40T120的区别 | |
型号: HGTG20N60A4 品牌: 安森美 封装: TO-247-3 290000mW | 功能相似 | 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | IXGH15N120BD1和HGTG20N60A4的区别 |