IXST30N60B2D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
额定电压DC 600 V
额定电流 48.0 A
耗散功率 250 W
上升时间 30.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 30 ns
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXST30N60B2D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXST30N60B2D1 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268 600V 48A | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 | |
型号: IXXH30N60B3D1 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 270000mW | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD | IXST30N60B2D1和IXXH30N60B3D1的区别 |