GT30J121Q

Toshiba 东芝分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Sack

IGBT 600V 30A 170W Through Hole TO-3PN

得捷:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Sack

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3PN

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN

Win Source:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN / IGBT 600 V 30 A 170 W Through Hole TO-3PN

GT30J121Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 170000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 170 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

GT30J121Q引脚图与封装图

GT30J121Q引脚图

GT30J121Q封装图

GT30J121Q封装焊盘图

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GT30J121Q	Toshiba 东芝	Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Sack	搜索库存