
存取时间 100 ns
内存容量 2000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min -20 ℃
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 DIP
封装 DIP
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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GR281 | Greenwich Instruments | GREENWICH INSTRUMENTS GR281 NVRAM, SRAM, 16Kbit, 2K x 8Bit, Parallel, 100ns, DIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: GR281 品牌: 封装: | 当前型号 | GREENWICH INSTRUMENTS GR281 NVRAM, SRAM, 16Kbit, 2K x 8Bit, Parallel, 100ns, DIP | 当前型号 | |
型号: LH5116-10 品牌: 夏普 封装: PDIP 16000B 5V 100ns 24Pin | 功能相似 | SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP | GR281和LH5116-10的区别 | |
型号: LH5116H-10 品牌: 夏普 封装: | 功能相似 | SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP | GR281和LH5116H-10的区别 | |
型号: LH5116-10F 品牌: 夏普 封装: DIP 16000B 100ns 24Pin | 功能相似 | SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP | GR281和LH5116-10F的区别 |