GA20SICP12-263
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GeneSiC Semiconductor
分立器件
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 50 mΩ
耗散功率 157 W
漏源极电压Vds 1.2 kV
漏源击穿电压 1200 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 131000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.668 mm
宽度 9.169 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | GENESIC SEMICONDUCTOR GA20SICP12-263 合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: GA20SICP12-263 品牌: GeneSiC Semiconductor 封装: TO-263 131000mW | 当前型号 | GENESIC SEMICONDUCTOR GA20SICP12-263 合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263 | 当前型号 | |
型号: GA20SICP12-247 品牌: GeneSiC Semiconductor 封装: | 功能相似 | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | GA20SICP12-263和GA20SICP12-247的区别 |