GA20SICP12-247、GA20SICP12-263对比区别

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型号 GA20SICP12-247 GA20SICP12-263

描述 TRANS SJT 1200V 45A TO247GENESIC SEMICONDUCTOR  GA20SICP12-263  合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263

数据手册 --

制造商 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor

分类 MOS管JFET晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-263-3

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 50 mΩ

耗散功率 282W (Tc) 157 W

漏源极电压(Vds) 1200 V 1.2 kV

漏源击穿电压 - 1200 V

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 282W (Tc) 131000 mW

输入电容(Ciss) 3091pF @800V(Vds) -

长度 - 10.668 mm

宽度 - 9.169 mm

高度 - 4.6 mm

封装 TO-247-3 TO-263-3

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -