GP2S24ABJ00F
数据手册.pdfSharp(夏普)
工业控制
峰值波长 950 nm
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 35 V
正向电流 50 mA
正向电流Max 50 mA
下降时间Max 100000 ns
上升时间Max 100000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 PDIP
高度 1.7 mm
封装 PDIP
工作温度 -25℃ ~ 85℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
GP2S24ABJ00F | Sharp 夏普 | Photointerrupter Reflective Phototransistor 4Pin PDIP | 搜索库存 |