GBL02-M3/51中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.1V @4A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SIP-4
外形尺寸
封装 SIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GBL02-M3/51引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| GBL02-M3/51 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Rectifier Bridge Single 200V 4A 4Pin Case GBL Tray | 搜索库存 |