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GRM1885C1H1R0BZ01D

GRM1885C1H1R0BZ01D

数据手册.pdf
muRata(村田) 被动器件

Murata GRM 0603 C0G 电介质 0.1pF - 200pFGRM 高介电常数类型特别适用于去耦和平滑电路,温度补偿类型适用于调谐电路、振荡电路和高频滤波电路 对于最低为 200V 的额定电压,高介电常数类型特别适用于阻尼器电路和滤波电路,温度补偿类型特别适用于电源阻尼器大容量小尺寸多层结构 高可靠性且无极性 外部电极镀锡,从而具有极佳的可焊接性 ### 陶瓷表面安装 0603

Murata GRM 0603 C0G 电介质 0.1pF - 200pF

GRM 高介电常数类型特别适用于去耦和平滑电路,温度补偿类型适用于调谐电路、振荡电路和高频滤波电路

对于最低为 200V 的额定电压,高介电常数类型特别适用于阻尼器电路和滤波电路,温度补偿类型特别适用于电源阻尼器

大容量小尺寸多层结构

高可靠性且无极性

外部电极镀锡,从而具有极佳的可焊接性


得捷:
CAP CER 1PF 50V C0G/NP0 0603


欧时:
Murata GRM 系列 1pF 50V dc C0G电介质 多层陶瓷电容器 GRM1885C1H1R0BZ01D, ±0.1pF容差, 0603封装


艾睿:
Cap Ceramic 1pF 50V C0G 0.1pF SMD 0603 125


安富利:
Cap Ceramic 1pF 50V C0G 0.1pF SMD 0603 125°C Paper T/R


Verical:
Cap Ceramic 1pF 50V C0G 0.1pF SMD 0603 125C Paper T/R


GRM1885C1H1R0BZ01D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 1 pF

容差 ±0.1 pF

电介质特性 C0G/NP0

产品系列 GRM

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 800 µm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

厚度 800 µm

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±30 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

GRM1885C1H1R0BZ01D引脚图与封装图
GRM1885C1H1R0BZ01D封装焊盘图

GRM1885C1H1R0BZ01D封装焊盘图

在线购买GRM1885C1H1R0BZ01D
型号 制造商 描述 购买
GRM1885C1H1R0BZ01D muRata 村田 Murata GRM 0603 C0G 电介质 0.1pF - 200pF GRM 高介电常数类型特别适用于去耦和平滑电路,温度补偿类型适用于调谐电路、振荡电路和高频滤波电路 对于最低为 200V 的额定电压,高介电常数类型特别适用于阻尼器电路和滤波电路,温度补偿类型特别适用于电源阻尼器 大容量小尺寸多层结构 高可靠性且无极性 外部电极镀锡,从而具有极佳的可焊接性 ### 陶瓷表面安装 0603 搜索库存
替代型号GRM1885C1H1R0BZ01D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: GRM1885C1H1R0BZ01D

品牌: muRata 村田

封装: 1pF 50V 0.1pF

当前型号

Murata GRM 0603 C0G 电介质 0.1pF - 200pFGRM 高介电常数类型特别适用于去耦和平滑电路,温度补偿类型适用于调谐电路、振荡电路和高频滤波电路 对于最低为 200V 的额定电压,高介电常数类型特别适用于阻尼器电路和滤波电路,温度补偿类型特别适用于电源阻尼器大容量小尺寸多层结构 高可靠性且无极性 外部电极镀锡,从而具有极佳的可焊接性 ### 陶瓷表面安装 0603

当前型号

型号: GRM1885C1H1R0BA01D

品牌: 村田

封装: 0603 1pF 50V ±0.1pF

完全替代

Murata GRM 0603 C0G 电介质(卷)制造商满卷 MLCC 电容器 C0G 电介质系列适用于机器定位 ### 陶瓷表面安装 0603

GRM1885C1H1R0BZ01D和GRM1885C1H1R0BA01D的区别

型号: GRM1885C1H1R0BA01J

品牌: 村田

封装: 0603 1pF 50V ±0.1pF

完全替代

0603 1pF ±0.1pF 50V C0G

GRM1885C1H1R0BZ01D和GRM1885C1H1R0BA01J的区别

型号: CL10C010BB8NNNC

品牌: 三星

封装: 0603 1pF 50V ±0.1pF

类似代替

CL10系列 0603 1 pF 50 V ± 0.1 pF C0G SMD 多层陶瓷电容

GRM1885C1H1R0BZ01D和CL10C010BB8NNNC的区别