FDS8949-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 6A 2W 表面贴装型 8-SOIC

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC

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FDS8949-F085

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双路场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 8-Pin SOIC T/R

FDS8949-F085中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.021 Ω

耗散功率 2 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 715pF @20VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用车用, 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

FDS8949-F085引脚图与封装图

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