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FDD8447L-F085

FDD8447L-F085

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.9 V

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 65W(Tc) TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK


立创商城:
N沟道 40V 50A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.9 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


FDD8447L-F085中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.007 Ω

耗散功率 65 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1970pF @20VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDD8447L-F085引脚图与封装图
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FDD8447L-F085 ON Semiconductor 安森美 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.9 V 搜索库存