FDA20N50-F109
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
上升时间 375 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280000 mW
引脚数 3
封装 TO-3
封装 TO-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDA20N50-F109 | ON Semiconductor 安森美 | Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, 500 V, 22 A, 230 mΩ, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE | 搜索库存 |