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FDA20N50-F109

FDA20N50-F109

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, 500 V, 22 A, 230 mΩ, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE

N-Channel 500V 22A Tc 280W Tc Through Hole TO-3PN


得捷:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN


立创商城:
FDA20N50-F109


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


FDA20N50-F109中文资料参数规格
技术参数

上升时间 375 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

下降时间 105 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDA20N50-F109引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDA20N50-F109 ON Semiconductor 安森美 Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, 500 V, 22 A, 230 mΩ, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE 搜索库存