FDBL86363-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 8
漏源极电阻 0.0015 Ω
耗散功率 357 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 10000pF @40VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357000 mW
引脚数 9
封装 H-PSOF
封装 H-PSOF
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDBL86363-F085引脚图
FDBL86363-F085封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDBL86363-F085 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |