FDD2572-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 0.045 Ω
耗散功率 135 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 150 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135000 mW
引脚数 3
封装 TO-252-2
封装 TO-252-2
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDD2572-F085 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 150 V, 0.045 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |