FDH50N50-F133

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

FDH50N50: 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，48 A，105 mΩ，TO-247

N-Channel 500V 625W Tc TO-247-3

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FDH50N50-F133

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MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

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Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

FDH50N50-F133中文资料参数规格

技术参数

上升时间 360 ns

输入电容Ciss 4979pF @25VVds

下降时间 230 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDH50N50-F133引脚图与封装图

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