FQD8P10TM-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

FQD8P10TM_F085: -100V，-6.6A，530mΩ，DPAK，P 沟道 QFET

P-Channel 100V 6.6A Tc 2.5W Ta, 44W Tc Surface Mount D-Pak

得捷:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

立创商城:
FQD8P10TM-F085

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

FQD8P10TM-F085中文资料参数规格

技术参数

输入电容 360 pF

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 360pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FQD8P10TM-F085引脚图与封装图

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