FDD86580-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 0.0078 Ω
耗散功率 75 W
阈值电压 3.6 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1430pF @30VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
引脚数 3
封装 TO-252
封装 TO-252
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDD86580-F085 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3.6 V | 搜索库存 |