FDP085N10A-F102

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 100 V, 0.00735 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 100V 96A Tc 188W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3

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FDP085N10A-F102

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晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 100 V, 0.00735 ohm, 10 V, 4 V

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Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

FDP085N10A-F102中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.00735 Ω

耗散功率 188 W

阈值电压 4 V

输入电容 2025 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 2025pF @50VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDP085N10A-F102引脚图与封装图

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